Transistor De Película Delgada

El Transistor de película delgada (TFT) es un tipo especial de MOSFET, hecho depositando capas delgadas de semiconductores activos, contactos dieléctricos y metálicos relacionados en un sustrato no conductor. Como sustrato de soporte, el vidrio se usa comúnmente, ya que la aplicación principal de TFT es en la construcción de pantallas de cristal líquido (LCD). TFT difiere del MOSFET convencional, en que en el segundo el material semiconductor es típicamente el sustrato, como una oblea de silicio.

La tecnología general TFT se desarrolló en los Estados Unidos de América, a partir de 1979 en la Universidad de Minnesota y condujo en los años siguientes a la realización de redes resistivas y capacitivas con alta integración para la realización de mainframes. Sin embargo, la implementación de esta tecnología para la realización de pantallas LCD de matriz activa se debe a varias industrias japonesas y posteriormente ha sido implementada y procesada también por gigantes de la electrónica taiwanesa, coreana y, en los últimos tiempos, China.

La ventaja más obvia está en el piloto de baja corriente requerido para la polarización de los cristales, en el sesgo de baja tensión requerido para la conmutación del transistor y el tiempo de respuesta requerido para que el fluido cambie de estado y luego haga pasar o menos la luz que pasa a través de él. Todo esto le permite crear fácilmente pantallas con un alto número de puntos, píxeles, que de otra manera no habría sido posible hacer. Los cristales líquidos no tienden a regresar gradualmente al estado de paz antes de la activación del impulso eléctrico en la próxima vez, como sucede en la matriz pasiva del monitor, ni deben mantener su posición en ausencia de un tiempo de respuesta de voltaje de aproximadamente 50 ms o incluso menor) y, por lo tanto, son más rápidos, y el ojo no percibe parpadeo, o los efectos de manchas de brillo y halos causados por conversación cruzada. La tecnología utilizada espejos muy de cerca que todavía se utiliza hoy en día en la implementación de RAM dinámica (DRAM), con la diferencia de que las células individuales de los transistores se producen directamente mediante la aplicación de un sustrato conductor, debidamente dopado, directamente sobre el vidrio del panel, en lugar de trabajar en un silicio troquel clásico.

La tecnología para la construcción de matrices activas OLED tiene el mismo propósito que la de las pantallas LCD: conducir a la realización de una pantalla de matriz plana. La diferencia sustancial está en el elemento electroluminiscente que, en este caso, está representado por OLED. Reemplazar la LCD conseguiría que la pantalla tuviera más rendimiento desde todos los puntos de vista: óptico, porque las emisiones de los OLED son no direccionales, desde el punto de vista del consumo, ya que el OLED es, de su naturaleza, e-coating y no transmisivo, como en el caso de la LCD; desde el punto de vista de la construcción, y la flexibilidad. El único problema todavía hoy es el tiempo de vida de los colores, donde aún no se ha alcanzado un tiempo de vida suficientemente alto, especialmente para el azul.

En ambas tecnologías, las moléculas de cristal líquido se orientan una vez que se someten a un campo eléctrico, pero mientras que en las pantallas LCD tradicionales aplican una tensión desde el exterior del panel de visualización, como en un condensador, en la tecnología TFT, el campo eléctrico se aplica directamente donde sea necesario, eliminando, entonces, las capacitancias parasitarias introducidas por las pistas de enrutamiento necesarias para los puntos, a través precisamente de un transistor de película delgada hecha directamente con un sustrato de material semiconductor transparente depositado en las superficies internas de los vidrios que también albergan los cristales líquidos La diferencia fundamental entre un TFT y un panel LCD tradicional es la forma en que el cristal líquido está polarizado.

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